| 研究分担者 |
吉矢 真人 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (00399601)
安田 秀幸 大阪大学, 工学研究科, 教授 (60239762)
中島 英治 九州大学, 総合理工学部, 教授 (80180280)
波多 聡 九州大学, 総合理工学部, 准教授 (60264107)
池田 賢一 九州大学, 総合理工学部, 助教 (20335996)
藤原 弘康 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (10238602)
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| 研究概要 |
パワーデバイスの次世代材料として有望視されている4H-SiCの新奇な結晶成長法として提案された準安定溶媒エピタキシー法(Metastable Solvent Epixaty, MSE)の機構を解明するために第一原理計算をおこなった. phonon計算によって, 4H-SiCの安定性が理論的に導かれた. Si-richな環境において, (0001)面がもっとも安定となり,マイクロパイプを閉塞させる. c-face(0001)面上の炭素の表面拡散の活性化エネルギーが極端に低く, この面がフラットに成長する要因である.
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