研究課題
基盤研究(C)
Siナノワイヤ(SiNWs)、およびその基本構造のSiナノ結晶(SiNCs)に関し、(1)問題となるダングリング・ボンド型界面欠陥の水素、重水素による制御の開発研究と(2)その手法を使用し、機能性不純物ドープされたSiナノ構造に特有の新物性発現について研究を進めた。これにより、SiNWsへのドーピング、酸化に伴う偏析挙動とSiNCsの新物性(光学的、磁気的)の可能性、およびそれらの最大固溶度について明らかにした。
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