| 研究概要 |
本研究では,充填スクッテルダイト化合物のカゴ状構造内でのゲスト原子の役割に注目し,原子充填効果と微視的電子状態との関係及びその物性への影響について調べている。具体的には,充填率の異なる試料についてNMR測定を行い,それらの微視的電子状態の特徴について調べている。
本年度は,近藤半導体として知られるCeOs_4P_12の微視的電子状態を調べた。CeOs_4P_12について,高圧及び常圧下で合成した試料でCeの充填率に大きな差異は見られていないものの,常圧下合成の単結晶の電気抵抗率が高温領域では金属的振る舞いを示すことが明らかとなり,半導体的に振る舞う高圧合成試料とは大きく異なるため,^31P-NMR測定により核スピン-格子緩和率1/T_1を調べた。その結果,両試料とも1/T_1は半導体的で,エネルギーギャップの大きさも電気抵抗率から評価された値と同程度である一方で,単結晶では低温での不純物による緩和の寄与が小さく,電気抵抗率の振る舞いの違いの原因としては,ごく微量の常磁性不純物によるものであることを明らかにした。
現在,CeFe_4Sb_12やPrFe_4Sb_12の原子充填効果,及びRFe_4Sb_12(R=希土類)やR_xCo_4Sb_12(R=La,Pr,Sn)の同一の母格子に対するゲスト原子充填効果についても調べており,その結果とも比較しながら,カゴ状結晶への原子充填効果とその微視的電子状態との関係について,引き続き研究中である。
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