研究概要 |
スピン三重項超伝導体Sr_2RuO_4やUPt_3の純良試料に磁場を[ 001]方向に印加し磁化測定を行なうと,極低温下ゼロ磁場近傍においてヒステリシス磁化に微小の「とび」(マイクロフラックスジャンプ)が数多く観測され,スピン一重項超伝導体の純良試料の場合と異なる振る舞いを見せる.本研究では,対称性の異なる超伝導体で発生するフラックスジャンプの類似点・相違点等を詳細に調べ,マイクロフラックスジャンプが,超伝導秩序変数の内部自由度から生じる超伝導ドメイン構造に起因している可能性を指摘した.
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