研究課題
基盤研究(C)
フタロシアニン分子系伝導体では、巨大磁気抵抗が観測される。この磁気抵抗のメカニズムを解明するため、強磁場中における高精度X線回折を行った。波数4k_FのX線散漫散乱が低温で観測されるが、磁場印加によって強度が弱くなる事を見出した。この散漫散乱が電荷秩序に起因するものならば、電荷秩序の磁場中融解が巨大磁気抵抗の原因であると考えられる。
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