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本年度は圧力下でトンネル現象を測定する技術の確立を目指した。まず、ジョセフソン効果については、重い電子系としてUPt_3を研究対象とし、超伝導の3つの異なる相のうち、以前のジョセフソン効果の研究で検出していた、低磁場高温側で現れるA相から低磁場低温側のB相へ転移する際のジョセフソン臨界電流の振る舞いの異方性を再現するため、同条件で素子を作成して測定した。すると、常伝導からA相、A相からB相への転移温度とも以前よりわずかに上昇しており、臨界電流も大きくなっていることがわかった。この原因としては、以前より試料表面の研磨技術が向上したことが考えられる。実際の研究では、転移温度付近の測定に適した大きさの臨界電流を示す素子を得る必要があるため、間に常伝導金属膜を挟んだ様々な素子を作成して最適条件を決定し、本来の目的である圧力下での測定に展開する準備を整えた。
次に、点接合分光については、圧力下で点接合分光を行うための接合の形成方法の検討を行った。圧力下での強度も勘案した作成方法として、試料上を樹脂で覆い、針を接触させた状態で硬化させた上で離型して微小なピンホールを形成し、表面に金属膜を成膜することで点接合を作る方法を考案した。次にその応用例として、Taを用いた点接合を作成し、分光(微分抵抗測定)によりエネルギーギャップの情報が得られることを確認した。また、重い電子系のCeRu_2Si_2上に点接合を形成して測定を行ったところ、近藤温度付近で微分抵抗の特徴的な変化を検出することができたので、本来の目標であるURu_2Si_2の隠れた秩序による異常の検出にも適用できると考えられる。
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