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本年度は、昨年に引き続き、重い電子系超伝導体としてUPt_3とURu_2Si_2を主な研究対象とし、圧力下で前者ではジョセフソン効果の、後者ではトンネル分光の研究を行った。
まず、UPt_3については、Nbとの間で転移温度付近で適当な大きさのジョセフソン臨界電流を持ち、低磁場高温側で現れるA相から低磁場低温側のB相に転移する際の相転移を反映した異常が現れる素子を用いて、圧力下での振舞いの変化を調べた。圧力増大につれて、電気抵抗と帯磁率に現れた超伝導転移幅が増大し、バルクの零抵抗温度が低下する一方、ジョセフソン効果の現れる温度は零抵抗温度よりさらに低温となり、現れた後の臨界電流の増加率は圧力に比例して急峻になることが観察された。また、圧力印加により低磁場下で出現するようになるC相でも、他の相と同様にジョセブソン効果が現れることが確認されたが、C相からB相への転移による臨界電流の温度依存性の異常は観察されなかった。
一方、URu_2Si_2のトンネル分光については、昨年度の研究で確立した方法で作成した点接合を圧力セル内に導入して、圧力印加により出現する反強磁性相と「隠れた秩序」相の間でトンネルスペクトルに現れる変化を調べた。その結果、常圧で「隠れた秩序」相に入ると現れる、零バイアス付近の特徴的なスペクトルは、圧力下でも同様に出現し、高圧低温下で反強磁性相となってもスペクトルの定性的な変化はないことが分かった。この結果は、電子状態が反強磁性相と「隠れた秩序」相の間で変化しないという他の研究グループの報告とも合致しており、国際会議で発表するとともに論文も掲載される予定である。
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