研究概要 |
4f電子系にたいする第一原理バンド計算法を動的平均場理論(DMFT)により発展させた。結晶場分裂、スピン軌道相互作用分裂、f^1→f^0, f^2仮想励起による交換相互作用を取り入れた。AuCu_3型Ce化合物(CePd_3, CeRh_3, CeIn_3, CeSn_3)への適用を進め、計算ノウハウの蓄積を行なった。近藤温度はほぼ実験結果を再現する。CeIn_3以外ではDMFT計算によるフェルミ面形状は局所密度近似のものと一致した。CeIn_3ではDMFTの結果がサイクロトロン質量まで含めてde Haas-van Alphen効果の実験結果を再現する。
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