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強レーザーによる水素分子イオンの高次高調波生成を直接解法により調べた。分子軸とレーザー場の偏極方向との間の角を変化させると特定の角度で３次の高調波が著しく減少することを見出した。この角度は核間距離に依存して変化し、分子の対称性に起因していることを示唆しているが、σ状態をπ状態間の干渉によって誘発双極子が相殺を起こすことが原因であることを見出した。キセノンからの短パルスレーザーによる電離電子の角分布から再散乱過程で何度親イオンを通過したか、最初のトンネル電離は後の位置で起こったかの詳細な情報を得る方法を考案し、実験値の解析を行った。アット秒の超短パルスレーザー列を用いることにより、ヘリウム原子の電離に関して異なるフロッケ状態を経た経路間の干渉が起こることを示し、実験家との共同研究により実証した。また、この電離に二色レーザーを用いて時間差を与えることにより、電離率が振動することを示した。閾値超え電離のスペクトルのうち、低エネルギーの成分は再散乱過程中においてクーロン相互作用による集極化の影響を強く受けることを見出した。このため、従来用いられている強レーザー場の近似は低エネルギー電子に対して不適当であることが判明した。多価イオンの二電子性再結合においては相対論的な効果として電子間の相関に対応するブライト相互作用が重要であることが予想される。しかし、ブライト相互作用の寄与を実験的に検証することはきわめて困難であったが、我々は理論計算により明確にその効果を取り出す手法を考案した。実験家との共同研究により、金の三電子系多価イオンにおいてはじめてその実証に成功した。これらの一連の研究は、我々が考え出した散乱状態の直接解法により初めて実現が可能となったものである。
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