研究課題
基盤研究(C)
カーボンナノチューブの成長過程を研究し、ナノチューブを特徴付けるカイラリティ制御法を開発した。成長過程の解明は、主にレーザー蒸発法を用いて行われ、ナノチューブ生成に必要な、金属触媒、成長温度について詳細な研究を進めることにより、カイラリティの異なったナノチューブはそれぞれ固有の反応速度に伴う成長温度特性をもっており、最適な金属触媒のもとで単一カイラリティチューブの作成が可能になった。
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