| 研究概要 |
本研究では,1つのホスフィンまたはシリル部位と3つのカルコゲノエーテル部位を持つ新規三脚型四座配位子E(o-C_6H_4YR)_3(1_<EY>:E=P or Si^-;Y=O,S,Se;R=i-Pr,t-Bu,etc)およびE(o-C_6H_4CH_2YR)_3(2_<EY>:E=P or Si^-;Y=O,S,Se;R=i-Pr,t-Bu,etc)を有する遷移金属錯体を合成して、その構造,性質,小分子の活性化能,触媒活性を明らかにし,E,Y,Rの違いによるこれらの金属錯体の性質の違いを系統的に解明することを目的としている。これらの金属錯体を用いることにより,N_2,CO_2,O_2,CO,エチレンなどの小分子を活性化し,その小分子を効率的に有用な分子に変換することが可能であると期待される。
既に我々は,配位子1_<PS>(R=i-Pr)がNi^<II>,Pd^<II>とは5配位錯体を,Pt^<II>とは平面4配位錯体を安定な錯体として形成することを明らかにしている。本年度の研究において,配位子1_<PSe>(R=i-Pr),2_<PS>(R=i-Pr)の合成に成功し,これらの配位子を有する10族金属錯体を合成した。セレン類縁体である配位子1_<PSe>(R=i-Pr)に関しては,Ni^<II>とは安定な5配位錯体を形成するものの,Pd^<II>およびPt^<II>錯体は室温で不安定であり,速やかに1つのi-Pr基の脱離反応が進行して平面四配位錯体[MCl{P(o-C_6H_4Se)(o-C_6H_4Sei-Pr)_2}](M=Pd,Pt)が生成することを明らかにした。また,2_<PS>(R=i-Pr)が,Ni^<II>とは5配位錯体を,Pd^<II>,Pt^<II>とは平面4配位錯体を形成することを明らかにした。
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