その場X線回折によるシリコン基板上へテロエピタキシャル成長の観測と制御

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21560007
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 花田 貴 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• キーワード: エピタキシャル成長 / X線回折

研究概要

シリコン基板上の熱反応堆積法により鉄シリサイドが成長する初期過程をその場X線回折で初めて観測した。450℃成長では初期に高温相α-FeSi2のナノ結晶の成長が見られるが、β-FeSi2(100)面の成長に伴いα相は消滅した。500℃以上ではα-FeSi2は消滅しなかった。450℃でβ-FeSi2単相を成長した後、900℃までのアニールによりβ相[100] 軸がSi[001] 軸方向に整列する過程を観測した。

研究成果

• [学会発表] Reactive Deposition Epitaxy of α-FeSi2 Islands on Si(001)Observed by in situ X-Ray Diffraction (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, and T. Matsuoka
  • 学会等名: The Seventh International Conference on Low Dimensional Structures and Devices(LDSD2011)
  • 発表場所: Telchac, Mexico
  • 年月日: 2011-05-26
• [学会発表] β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折: α-FeSi2の成長と消滅 (2009)
  • 著者名/発表者名: 花田貴、田尻寛男、坂田修身、松岡隆志
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-10