| 研究概要 |
高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの基板としてAlNが有用である。AlN及びAlGaNの選択成長では, SiO2等をマスクに用いることができないため,基板に溝加工を行って横方向成長を制御する成長法が有望である。本研究では,三角ストライプ状にシード部の加工を行ったAlN/サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い,ファセット制御により貫通転位の伝搬を制御して,その密度を約1桁低減した。また,エッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った。KOHとNaOHの混合融液によりウェットエッチングを行った結果,エッチピットの大きさにより転位種類を判別できることを明らかにした。
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