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A_<1-x> A^*_x B型の化合物混晶において対角的な乱れがある場合、ポテンシャルエネルギーε_Aとε_<A*>の相対位置がε_Bと比べてどこに位置するかによって、バンドギャップの組成依存性において1)単調な変化をする混晶と2)大きく湾曲しギャップがゼロになることもある混晶の2つに分けられることを理論的に示した。また、深い準位を介してキャリヤの多フォノン放出非発光捕獲過程が引き起こす過程を解析し、格子振動の減衰時定数が長く、キャリヤ濃度が高くキャリヤ捕獲確率が大きい場合は、キャリヤのコヒーレントな連続捕獲並びに格子振動の振幅増大(欠陥反応につながる)の可能性があることを示し、その条件(発生確率)を半定量的に明らかにした。
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