|
平成21年度はオンウエハモニタリングのプラズマ耐久性向上と、これらセンサの情報から基板表面電荷蓄積量やイオン軌道を予測するシステムを構築した。
オンウエハセンサの基本構造は既に確立しているが、実際の量産装置におけるプラズマの条件は非常に過酷であり、プラズマ照射耐久性向上が望まれる。オンウエハセンサ測定のプラズマ照射耐性向上の為、1.入力インピーダンスが高いテスタの使用、2.電圧ダンピングの為の100Mオーム抵抗の挿入、3.接続部のプラズマ耐性向上のためのガラス設置、4.微小空間での放電抑制の為の遮断板の設置、5.ケーブル長の短長化、6.積極的なアース設置、7.カプトンテープに代わり導電性Siテープによる接着等の工夫により、3kWの高パワー下でも測定が可能であることを示した。
また、基板表面電荷蓄積量・イオン軌道の予測においては、電子密度・電子温度センサから測定されるプラズアポテンシャル、電子密度、電子温度の情報と、側壁導電性センサから測定される側壁導電率、電荷蓄積量センサで測定される表面電位(上部電極電位)および孔底電位(下部電極電位)からイオン軌道を求めるシステムを構築し、ツイスティング形状異常の予測に成功した。
|
