塩素系(SiH_2Cl_2/H_2)プラズマCVD法で作製したガラス基板上に堆積した微結晶シリコン(μc-Si : H : Cl)膜の高分子基板上への剥離・転写を利用してフレキシブル基板上の薄膜形成を検討した。その結果結晶化率の低減、クラックの生成なく曲率半径が小さい領域まで維持できることがわかった。また曲率によってラマン分光の515cm-1のTOフォノンの高波数側へのシフトを確認した。更に導電性ポリマーを塗布した太陽電池構造で変換効率3%を得た。以上の結果は、半導体Si膜の応力に対する光学・電気物性の制御に適用できる可能性を示唆する。一方有機系の場合には効率は1-2%に留まった。同時に結晶Si/スピンコートPEDOT : PSS接合素子で10-11%の効率を得た。
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