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2010 年度 実績報告書

酸素フリーな金属窒化物の反応性スパッタ製膜過程の理解と電気物性への酸素混入の効果

研究課題

研究課題/領域番号 21560054
研究機関成蹊大学

研究代表者

馬場 茂  成蹊大学, 理工学部, 教授 (80114619)

研究分担者 中野 武雄  成蹊大学, 理工学部, 助教 (40237342)
キーワード反応性スパッタリング / 窒化物薄膜 / 高純度金属窒化物 / モード遷移 / 酸窒化物
研究概要

Ti材のターゲットから反応性スパッタリングでTiNを製膜する場合,P(N_2)=1Paに対しP(O_2)~1×10^<-4>Pa程度を含む圧力環境では,TiN膜中に10%を超す0が取り込まれる。平成22年度の実験では,放電にパルス電源を用いると高密度なプラズマが形成させるので,窒素分子の励起・解離が促され,Tiとの反応が確実に進行して,0の混入が抑制されると予想した。そこで,同じ環境条件のもと,パルス放電とDC放電とで膜の組成を比較した。
超高真空環境からN_2ガスを10sccm,約3.0Paの分圧環境を作り,反応性スパッタを行った。ターゲット-基板間距離を40mm,電力50WのDCとパルス放電とを比較すると,P(O_2)~3×10^<-3>Paでは,DC製膜・パルス製膜ともに原子比で50%を超える酸素混入が発生したが,R(O_2)~1×10^<-3>Paにおいては,パルス放電によるTiN膜の不純物量は,DCスパッタに比べて半分以下の15%にまで下がった。高密度のプラズマは,窒素の反応性が高める効果がある。一方,環境からの0混入の抑制は,ターゲット-基板間距離を短くすること,放電電力を高めること,のいずれによっても改善するものと期待できるが,実際に比較してみたところ,放電電力を高めた方が不純物減少の効果が大きかった。Ti原子の気化量が増えるとそれだけゲッタリング効果が促されて,製膜環境の酸素分圧が減ったものと考えられる。DCスパッタに比べ,パルススパッタの方が,同じ電力供給でTi気化量を稼げるので,パルススパッタ法がTiN膜の不純物抑制に効果があることがわかった。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2011 2010

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (6件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Effect of the target bias voltage during off-pulse period on the impulsemagnetron sputtering2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nakano, C.Murata, S.Baba
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 84 ページ: 4

    • 査読あり
  • [学会発表] パルスoff期のターゲット電位を変化させた高電力パルスマグネトロンスパッタにおけるプラズマ診断2011

    • 著者名/発表者名
      中野武雄, 日留川紀彦, 佐伯修平, 馬場茂
    • 学会等名
      第56回応用物理関係連合講演会19p-ZB-5
    • 発表場所
      東海大,神奈川
    • 年月日
      2011-03-27
  • [学会発表] マグネトロンスパッタリングにおけるターゲットエロージョンの時間発展2010

    • 著者名/発表者名
      植田麻理子, 中野武雄, 馬場茂
    • 学会等名
      第51回真空に関する連合講演会 5P-045
    • 発表場所
      大阪大学(吹田),大阪
    • 年月日
      2010-11-05
  • [学会発表] パルスoff時のターゲット電位を制御した高電力パルススパッタにおけるプラズマ分析2010

    • 著者名/発表者名
      日留川紀彦, 中野武雄, 馬場茂
    • 学会等名
      第51回真空に関する連合講演会 4Ba-04
    • 発表場所
      大阪大学(吹田),大阪
    • 年月日
      2010-11-04
  • [学会発表] 低付着性の炭素系薄膜の力学特性および界面エネルギー2010

    • 著者名/発表者名
      丸山淳, 中野武雄, 馬場茂
    • 学会等名
      第122回表面技術講演大会 7D-16
    • 発表場所
      東北大学(川内北), 仙台
    • 年月日
      2010-09-07
  • [学会発表] Secondary electron emission and electrical breakdown properties of sputtered MgO films at low gas pressures2010

    • 著者名/発表者名
      K Arai, T.Sekiya, T.Nakano, S.Baba
    • 学会等名
      18th International Vacuum Congress, P3 TF1-4 17ff6e2d-e
    • 発表場所
      Beijing, 中国
    • 年月日
      2010-08-26
  • [学会発表] Structure modification of films deposited by HiPIMS with target bias voltage during pulse-off period2010

    • 著者名/発表者名
      N.Hirukawa, R.Hara, T.Nakano, S.Baba
    • 学会等名
      18th International Vacuum Congress, P1-Tf1-546266a94-6
    • 発表場所
      Beijing, 中国
    • 年月日
      2010-08-24
  • [図書] 剥離対策と接着・密着性の向上-第5章1節 付着試験に伴う薄膜の応力場2010

    • 著者名/発表者名
      馬場茂 (分担執筆)
    • 総ページ数
      249-257
    • 出版者
      サイエンス&テクノロジー

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公開日: 2012-07-19   更新日: 2014-08-26  

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