研究課題
基盤研究(C)
特殊,極限環境下で使用されるサファイアデバイスの製造技術として,微細切削技術を開発した.六方晶のサファイアの平削りとエンドミル切削では,結晶面および結晶軸に対する切削方向によって切削特性が異なる.また,エンドミル切削では脆性損傷とともに仕上げ面に対する切りくずの溶着が問題であり,これらを考慮した切削条件を選定しなければならない.分割切込みによって,溶着に起因する仕上げ面粗さの劣化を抑えることが可能である.
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Advanced Materials Research
巻: Vol.223 ページ: 66-74