研究課題
基盤研究(C)
高温超伝導体を工学的に応用する際には,遮蔽電流密度の解析が必要不可欠である.それ故,遮蔽電流密度の様々な解析法がこれまで開発されてきた.しかしながら,従来の解析手法は(1)陰解法に起因する低速性と(2)クラック・穴への対応不可能性という2つの致命的な問題点を含んでいた.本研究では,この2つの問題点を解決するために,構成方程式修正法と仮想電圧法という2種類の数値解析技術を開発した.
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