研究課題
基盤研究(C)
半導体集積回路の技術発展を念頭に、通常超高真空環境が必要な光電子分光をガス雰囲気下でリアルタイムに測定可能にし、これを用いてシリコン絶縁膜のナノスケールでの表面反応の様子を研究した。シリコン酸化膜の成長速度を精密に測定したところ、極初期段階で2つの酸化速度領域が存在することが判明した。またシリコン酸化膜を真空中で加熱すると、様々なシリコンナノ構造が表面に形成されることが明らかとなった。
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apanese Journal of Applied Physics
巻: 51 ページ: 015603
Applied Physics Express
巻: 4 ページ: 115104
Journal of Materials Chemistry
巻: 21 ページ: 17242-17248
巻: 50 ページ: 070105
電子情報通信学会技術研究報告書
巻: 111巻 ページ: 61-64
Diamond and Related Materials
巻: 19 ページ: 1387-1392
Journal of Physics : Conference Series
巻: 235 ページ: 012008
Japanese Journal of Applied Physics
巻: 48 ページ: 116002
巻: (印刷中)