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III-V族化合物半導体のマスクレス選択成長技術は、光・電子集積回路などの次世代デバイス開発に有用であると考えられる。本研究では、Snのドーピング濃度を増やしたSn high doped-Ga LMIS(液体金属イオン源)を用いGaAs選択成長を行い、抵抗率、ホール効果測定などによりドーピング濃度やキャリアタイプがどのようになるかを詳細に調べた。その結果、実験条件により、p型やn型のGaAsが成長できることが分かった。これを用い、GaAsのpn接合デバイスを世界で初めて、リソグラフィー技術なしに、マスクレスで形成できた。
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