研究課題
基盤研究(C)
連続発振レーザ横方向結晶化(CLC)法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した. CLCは薄膜トランジスタ(TFT)中のチャネル電流に対する粒界の効果の低減および結晶粒中の欠陥低減に有効である. SiにGeを混合すると形状がフロー状から超横方向成長へと変化し,その結果擬似単結晶が形成される.この結果は,合金固有の組成的過冷却により説明できる. Geの偏析,結晶境界の配置, TFT特性に対する評価も行った.
すべて 2011 2010
すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (7件)
Int. J. of Spectroscopy
巻: Vol.2011 ページ: 632139, 14
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: Vol.50 ページ: 115501, 6
Jpn. J. Appl. Phys
巻: Vol.49 ページ: 03CA07, 4