研究課題
基盤研究(C)
本研究では、光・電子融合型不揮発性メモリ実現のための強誘電体/蛍光体ナノ積層構造の諸特性を調べた。特にSrTiO_3(110)基板上のゾルゲル強誘電体(Ba_<0.6> Sr_<0.4>) TiO_3(BST)/蛍光性強誘電体(Sr_<0.8> Eu_<0.2>) Bi_2Ta_2O_9(Eu-SBT)積層構造の結晶性、電気的特性および光学特性を初めて明らかにした。作製した構造において、Eu-SBT膜は部分的に(116)配向した結晶を含み分極-電圧特性は自発分極反転によるヒステリシスを示した。またフォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネッセンス測定からBST/Eu-SBT構造はEu^(3+)イオンに起因する発光を示した。BST/Eu-SBT/STO(110)構造は光・電子融合型不揮発性メモリに有望であると結論した。
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