プレーナー型集積化GaN系面発光素子の製作検討

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21560361
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• キーワード: 光デバイス / 光回路

研究概要

小型ディスプレイパネルに要求されるGaN(窒化ガリウム)系発光素子は,大面積に配置することが必要であると共に,大幅な低価格化が要求される.そこで、本研究では,基本的な素子構造としてショットキー型構造に着目し,検討した結果,表面改質法としてアルミニウムフェースパック法を用いることにより低コストに素子特性向上が行えることがわかった.また,近紫外透明電極としてMgZnO(酸化マグネシウム亜鉛)薄膜を提案し,その製作を行った.

研究成果

• [雑誌論文] Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by surface modification using the aluminum facepack technique (2012)
  • 著者名/発表者名: Tohru Honda, Naoyuki Sakai, Shigetoshi Komiyama, Masato Hayashi and Tatsuhiro Igaki
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(C) 巻: 9巻 ページ: 778-781
  • DOI: DOI:10.1002/pssc.201100387
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface Recombination of hexagonal GaN crystals (2011)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Onuma, Naoyuki Sakai, Takashi Okuhata, Atsushi A. Yamaguchi, and Tohru Honda
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(C) 巻: 8巻 ページ: 2321-2323
  • DOI: DOI:10.1002/pssc.201001013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoluminescence and photo reactivity affected by oxygen defects in crystal-oriented rutile thin film fabricated by molecular precursor method (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Nagai, S. Aoyama, H. Hara, C. Mochizuki, I. Takano, T. Honda and M. Sato
  • 雑誌名: Journal of Materials Science 巻: 45巻 ページ: 5704-5710
  • DOI: DOI:10.1007/s10853-010-4640-z
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of c-axis oriented Ga-doped MgZnO-based UV transparent electrodes by molecular precursor method (2010)
  • 著者名/発表者名: T, Honda, T. Oda, Y. Mashiyama, H. Hara and M. Sato
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(C) 巻: 7巻 ページ: 2471-2473
  • DOI: DOI:10.1002/pssc.200983871
  • 査読あり
• [学会発表] Low temperature of GaN on pseudo(111) Al substrates by RF-MBE (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Hayashi, T. Goto, T. Yamaguchi, T. Igaki, and T. Honda
  • 学会等名: Materials Research Society2011Fall Meeting(MRS 2011F)
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 20121200
• [学会発表] In-plane epitaxial relationship of(0001) sapphire grown by compound-source MBE (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Sugiura, T. Oda, T. Onuma, T. Yamaguchi, and T. Honda
  • 学会等名: Materials Research Society 2011 Fall Meeting(MRS 2011F)
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 20111100
• [学会発表] Ozone treatment of the substrates for the ZnO deposition by molecular precursor method (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Oda, H. Hara, Y. Sugiura, T. Yasuno, T. Yamaguchi, M. Sato, and T. Honda
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Advanced Technology(ISAT-10)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 20111100
• [学会発表] X-ray diffraction pattern of ZnO layer grown by compound source MBE (2011)
  • 著者名/発表者名: R. Amiya, Y. Sugiura, T. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Advanced Technology(ISAT-10
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 20111100
• [学会発表] XPS spectra of c-face GaN and ZnO crystals (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Honda
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Advanced Technology(ISAT-10)
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 20111100
• [学会発表] Built-in potential along the C-axis in MBE-grown GaN layers observed by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, T. Igaki, T. Yamaguchi, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy(NAMBE 2011)
  • 発表場所: San Diego, California, USA
  • 年月日: 20110800
• [学会発表] Growths of InN/InGaN Pariodic Structure and Thick InGaN film using dropment elimination process by radical-beam irradiation (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi, T. Araki, T. Honda, E. Yoon and Y. Nanishi
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy(NAMBE2011)
  • 発表場所: San Diego, California, USA
  • 年月日: 20110800
• [学会発表] Comparative Study of Surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Onuma, N. Sakai, T. Igaki, T. Yamaguchi, A. A. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 28th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy(NAMBE2011)
  • 発表場所: San Diego, California, USA
  • 年月日: 20110800
• [学会発表] Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, N. Sakai, S. Komiyama, M. Hayashi and T. Igaki
  • 学会等名: 9th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS2011)
  • 発表場所: Glasgow, Scotland, UK
  • 年月日: 20110700
• [学会発表] GaN growth on pseudo(111) Al substrates by RF-MBE (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, M. Hayashi, T. Goto and T. Igaki
  • 学会等名: E-MRS ICAM IUMRS2011Spring Meeting(E-MRS)
  • 発表場所: Nice, France
  • 年月日: 20110500
• [学会発表] Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrodes by molecular precursor method (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Oda, T. Kidu, H. Hara, Y. Sugiura, M. Sato and T. Honda
  • 学会等名: The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces(PCSI-38)
  • 発表場所: San Diego, California, USA
  • 年月日: 20110100
• [学会発表] Built-in potential in GaN crystals by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, T. Igaki, Y. Kumagai and A. Kokitu
  • 学会等名: The 38th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces(PCSI-38)
  • 発表場所: San Diego, California, USA
  • 年月日: 20110100
• [学会発表] Surface recombination of hexagonal GaN crystals (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Sakai, T. Onuma, T. Okuhata, A. A. Yamaguchi and T. Honda
  • 学会等名: The International Workshop on Nitride semiconductors(IWN2010)
  • 発表場所: Tampa Bay, Florida, USA
  • 年月日: 20100900
• [学会発表] GaN growth on pseudo Al substrates by molecular beam epitaxy at low temperatures (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Goto, M. Hayashi, T. Igaki, S. Taguchi and T. Honda
  • 学会等名: 16th International Conference on molecular beam epitaxy(ICMBE2010)
  • 発表場所: Belrin, Germany
  • 年月日: 20100800
• [学会発表] XPS study on(0001) and (000-1) GaN layers on sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, K. Noguchi, N. Sakai, S. Taguchi, T. Goto, T. Igaki and M. Hayashi
  • 学会等名: The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: Montpellier Convention Center, Montpellier, France
  • 年月日: 20100700
• [学会発表] Polarity control of(0001) GaN epitaxial layers grown by RF-MBE (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Igaki, M. Hayashi, T. Goto, S. Taguchi and T. Honda
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010)
  • 発表場所: Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
  • 年月日: 20100600
• [学会発表] Surface Modification of(0001) GaN and its application to RGB pixels based on UV Schottky-type LEDs (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, N. Sakai and T. Nozaki
  • 学会等名: 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010)
  • 発表場所: Peking University, Beijing, China
  • 年月日: 20100500
• [学会発表] Fabrication of c-axis oriented MgZnO transparent electrode by molecular precursor method (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Oda, H. Hara, C. Mochizuki, M. Sato and T. Honda
  • 学会等名: 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010)
  • 発表場所: Peking University, Beijing, China
  • 年月日: 20100500
• [学会発表] Surface analysis of Ga-and N-polar GaN by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Honda, K. Noguchi, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: The 37th International Conference on Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces(PCSI37)
  • 発表場所: New Mexico, USA
  • 年月日: 20100100
• [学会発表] XPS Spectra of(0001) and (000-1) GaN Surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Noguchi, T. Nozaki, N. Sakai, Y. Kumagai, A. Koukitu and T. Honda
  • 学会等名: The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 20091000
• [図書] 電子デバイスの基礎と応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長谷川文夫, 本田徹
  • 総ページ数: 235
  • 出版者: 産業図書出版