| 研究概要 |
1.O^+イオン注入法を用いた歪半導体基板の全面/部分領域の歪緩和実験-その2nチャネル用の横方向新ヘテロ構造実現のため,EBリソグラフィーを利用して酸化膜マスクを形成し,SSOI基板への部分的なO^+イオン注入を行った.ラマン分光解析により,歪み層の部分領域緩和を実証した.更に,この歪み分布により,急峻なバンドオフセットが実現できている可能性を示せた.また,試料断面の透過型電子顕微鏡観測により,ナノ領域での歪み/緩和層のヘテロ構造が実現されていることも確認できた.
2.歪み緩和メカニズムの解明ホットイオン注入法と,ポストアニール条件を変えることにより,O^+イオン注入法におけるSSOI層の緩和メカニズムが解明できた.即ち,O^+イオン注入による歪み層/埋め込み酸化膜界面の結合の破壊と,ポストアニールにおける歪み層への熱応力による歪み層の滑りが,主な歪み緩和のメカニズムである.
3.H+イオン注入法を用いた歪半導体基板の全面/部分領域の歪緩和実験-その1O^+イオン注入法より急峻な反跳エネルギー分布を持つH+イオン注入法を用いた歪み半導体の緩和実験を開始した.これは,イオン注入された領域の結晶性の劣化が防止することを目的としており,平成23年度中での実験終了を目指す.
4.プロセス/デバイスシミュレータを用いた素子構造設計-その2モンテカルロ法を用いたイオン注入シミュレータにより,2Dの反跳エネルギー分布を計算し,横方向の歪み緩和分布の見積もりを行うことができた.
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