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2009 年度 実績報告書

フィルムボンディング技術を用いた3次元磁気センサーモジュールに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 21560373
研究機関神奈川工科大学

研究代表者

黄 啓新  神奈川工科大学, 創造工学部, 教授 (30257414)

キーワード化合物半導体 / 犠牲層エッチング / 磁気センサー / ホールセンサー / 貫通電極 / 貫通技術 / 薄膜ボンディング / サンドブラスト加工
研究概要

平成21年では、貫通基板加工技術及び電極形成技術と高感度なホール磁気センサー用のエピ薄膜の構造及びエッチング・ボンディング技術を検討した。センサーモジュールを実現するため、貫通電極用基板加工技術が必須である。われわれは実験室レベルで簡単かつ低コストの貫通穴の加工と電極形成技術を検討した。サンドブラストミリング技術を用いて、大きさ22mm×24mm、厚さ0.3mmの基板上に直径0.2mm貫通穴を短時間で形成することができた。また、スパッタ技術を用いて、基板の両面に金属電極(Cr-Al-Cr-Au)を形成し、貫通電極ができた。電極の抵抗は約0.13Ωであった。貫通電極基板の信頼性を確認するため、弾性波電子デバイスの実装へ応用し、その有効性を確認できた。これをもって、次年度センサーモジュールの基板に活用する予定である。一方、磁気センサーの感度を向上するために、キャリアの移動度が速いAlGaAsヘテロ構造を有する半導体フィルムが適している。しかし、われわれが提案している犠牲層エッチング手法では、犠牲層はAlAsを使うため、AlとGaの比率を決めることは重要なパラメータである。薄膜ボンディング実験の検討結果として、Al_<0.3>Ga_<0.7>Asの薄膜なら、犠牲層エッチングの選択比が問題なく剥離とボンディングすることができた。さらに、3次元センサーとしてのバリエーションとして、単層薄膜ではなく、2層薄膜構造も考えられる。実験として、n+GaAs/nGaAs/n+GaAs/n+GaAs/nGaAs/n+GaAs/AlAsのような薄膜構造を設計し、犠牲層エッチングとボンディングを行い、成功した。

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2009

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件)

  • [雑誌論文] Fabrication of SAW Devices with Small Package Size Using Through Substrate Via Technology2009

    • 著者名/発表者名
      K.Koh H.Okitsui, K.Hohkawa
    • 雑誌名

      2009 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings CD media

      ページ: 2688-2691

    • 査読あり

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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