2011 年度研究成果報告書

フィルムボンディング技術を用いた3次元磁気センサーモジュールに関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	21560373
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	神奈川工科大学
研究代表者	黄啓新神奈川工科大学, 創造工学部, 教授 (30257414)
研究期間 (年度)	2009 – 2011
キーワード	化合物半導体 / 犠牲層エッチング / 磁気センサー / ホールセンサー / 三次元 / 薄膜ボンディング / 貫通電極
研究概要	本研究では、犠牲層エッチング技術を用いて、化合物半導体であるGaAs薄膜を誘電体基板やSi等他の基板上にボンディングし、平面構造上でx、y、z方向の配置ができ、信号処理回路との集積化が可能、小型化・空間高分解能をもつ三次元磁気センサーアレイの作製技術を開発した。我々は要素技術である貫通電極形成技術、三次元センサーアレイパターン形成技術、層間絶縁薄膜の形成技術の条件を検討した。その上で三次元磁気センサーを作製し、基本特性を評価した。実験結果は本技術の可能性を示した。

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