研究課題
基盤研究(C)
宇宙空間の荷電粒子によるシングル・イベント効果に起因する回路誤動作に対する耐性を強化した耐放射線性システムLSIを設計するための基盤技術を、カスケード電圧スイッチ論理(CVSL)、高速ゲート、ニューロン・デバイスの導入により検討した。SET効果に対するシミュレーション技術により、スタティック形CVSL回路とクロック形CVSL(C2VSL)回路を従来の複合ゲートCMOS回路と比較して、前者は2桁以上の、後者は1桁以上のSET耐性向上を明らかにした。また、C2VSL回路とCVSL回路により、全加算器と半加算器を設計試作して、試作チップの実測により、それぞれの回路の機能動作の確認に成功した。
すべて 2013 2012 2011 2010 2009
すべて 雑誌論文 (9件) 学会発表 (6件)
Journal of Electrical and Control Engineering
巻: vol. 3, no. 5 ページ: 43-48
IEICE Trans. Electronics
巻: Vol. E95-C, no.11 ページ: 1827–1829
Proceedings of the IEEE International Conference on Microelectronics Test Structures
ページ: 77-81
Proceedings of the 12th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems, Sevilla
ページ: 458-462
巻: vol. E94-C, no. 6 ページ: 1131-1134
Proceedings of the 11th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems, Langenfeld
巻: PF-1 ページ: 1-4
巻: Vol. E93-C, no. 9 ページ: 1471-1473
Proceedings of the 10th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems, Bruges
ページ: 131-135
IEEE Trans. Nuclear Science
巻: vol.56, No.4 ページ: 1987-1991