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平成22年度においては、前年度に試作した間接冷却ステージを含む装置筐体の改良と、ステージにマウントするSQUIDセンサデバイスについての特性改善を行った。
間接冷却ステージの場合、冷却ステージを液体窒素に浸すことにより熱伝導でSQUIDを間接的に冷却するため、直接冷却型ほど熱収縮によるSQUID破壊に気を使わずに済むなどの利点がある代わりに、完全には液体窒素温度(77K)まで冷却しない可能性がある。H21年度に試作した装置においても、試料温度が78～79K程度に留まることがあった。H22年度においては、ステージへの熱伝導を改善することで冷却効率を向上させ、より高温でも安定に動作可能にすることが可能になった。
一方、マウントするデバイスについては、大きな環境磁場雑音下でも安定動作させることを目的として、磁場雑音に強く、信号/雑音(S/N)比が向上する様なセンサデバイス形状の検討を行った。具体的には、デバイスをより高出力するために多重直列接続型SQUIDマグネトメータを、構造的に磁場雑音に強いデバイスとして並列差動ピックアップループ型グラジオメータをそれぞれ作製し、その特性を評価した。その結果、後者においては、通常の実験室レベルの非シールド環境下においても安定に動作することを確認した。
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