研究課題
基盤研究(C)
本研究において、電気化学析出膜における室温再結晶現象のメカニズムを明らかにした。すなわち、これらの膜の析出過程で導入された水素に起因する超多量空孔によって金属原子の拡散が促進される。昇温脱離分析のプロファイルから、空孔-水素クラスターに対応するピークが認められた。また、膜中水素量に応じて結晶粒径は増大した。これらの結果から、上記の室温再結晶現象は、水素導入によって発生した超多量空孔に起因することが明らかとなった。
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