研究課題
基盤研究(C)
SrTiO_3(STO)界面修飾層を持つSi(001)基板上にBa(Fe_<0.2> Zr_<0.8>) O_<3-δ>(BFZO)室温強磁性誘電体薄膜を合成した. TEM解析の結果, BFZO薄膜は巨視的には多結晶であるものの,大きく粒成長したSTO上にBFZO薄膜が部分的にエピタキシャル成長していることがわかった.これにより,格子歪みが導入され, Fe^<4+>成分が増大し,結果として飽和磁化の値がSi基板直上に製膜した多結晶BFZO薄膜の磁化率よりも3倍程度大きくなった.
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Journal of Applied Physics
巻: vol.107 ページ: 09E312-1-3
巻: vol.105 ページ: 07D907-1-3
巻: vol.105 ページ: 07D904-1-3