酸性水溶液からの電析法によりZnTe系化合物半導体が合成された。陰極電位-0. 8Vで電析されたZnTeの組成は化学量論組成に近く、Znの平衡電位より貴な、陰極電位-0. 8Vを最適電析条件とした。ZnTe単相試料の紫外可視吸光スペクトル測定により、約550nmより短波長領域での光吸収が確認され、バンドギャップエネルギー値が2. 13eVとなることが推定された。非晶質ZnTeの電気抵抗は約10^6Ωmであったが、683Kで焼鈍した電析ZnTeの電気抵抗は約10^4Ωmであり、単結晶ZnTeの値に近くなった。
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