研究課題
基盤研究(C)
放射光から得られるX線を利用した励起エネルギー可変の光電子分光により、鉄シリサイド薄膜、単結晶、ホモエピタキシャル成長膜の表面の深さ方向分析を行った。その結果、各試料の表面には、自然酸化膜として約1nmのシリコン酸化膜が生成することが示された。また、成膜時の基板温度の違いによりホモエピタキシャル成長膜の化学状態に違いが見られ、均質な膜を得るためには、成膜時の温度の制御が重要であることが示された。
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