|
水熱合成法により調製したH-MFIおよびGa格子置換H-MFIメタロシリケートへのMoO_3修飾触媒を用いたメタン脱水素芳香族化活性の経時変化追跡による活性評価、とくに高活性化および失活抑制のための条件を検討した。その結果、triethoxyvinylsilaneを用いたMo(5wt%)/H-MFIへのシリル化は、700℃での本反応に初期活性の低下を与えるものの、経時失活の抑制による高耐久化を与え、芳香族化収率の増大を与えることがわかった。一方、Ga格子置換MFIを担体としたMo/H-GaMFI触媒では高濃度Ga含有で低活性を示したのに対し、Ga含有量の低下に従い活性の増大および経時失活の乏しい良好な高活性傾向が顕著であった。本触媒の活性化にはMFI酸点の制御、過剰の酸強度の抑制が不可欠であり、とくに外表面の強酸点の抑制効果が極めて重要であることが総括された。
|
