研究課題
基盤研究(C)
電位依存性イオンチャネルは、膜電位を感受する電位センサードメイン(VSD)とイオン透過路を有するポアドメイン(PD)からなる。本研究では、VSD中の2残基をシステイン(Cys)に置換した変異体を用いて、どの部位のCys同士間にジスルフィド(SS)結合が形成されるかを調べ、膜電位依存的なVSDの構造変化様式を明らかにした。また、VSDと、阻害毒素との結合様式をNMRにより明らかにし、毒素がVSDに作用しPDにおける電流を阻害する機構を解明した。
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