研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究では、フレキシブル半導体(擬似単結晶SiGe/フレキシブル基板)をベースとしたスピントランジスタの創製を目指し、その基盤技術を構築した。まず、Auを用いた金属触媒成長法を開発し、結晶方位が揃いかつ大粒径(~100μm)を有するSiGe結晶を低温熱処理(≦350℃)にて実現した。さらに、強磁性ホイスラー合金/SiGe構造の磁気及び電気特性を解明すると共にスピン機能を実証した。
すべて 2012 2011 2010 2009
すべて 雑誌論文 (11件) (うち査読あり 11件) 学会発表 (15件)
Thin Solid Films
巻: Vol.520 ページ: 3293-3295
Electrochemical and Solid-State Letters
巻: Vol.14, No.6 ページ: 232-234
巻: Vol.14, No.7 ページ: 274-276
ECS Transactions
ページ: 39-42
Proceedings of TENCON 2010-2010 IEEE Region 10 Conference
ページ: 2196-2198
J. Appl. Phys
巻: Vol.107, No.9 ページ: 105-1-3
Appl. Phys. Express
巻: Vol.3, No ページ: 093001-1-3
Appl. Phys. Lett
巻: Vol.97, No.19 ページ: 192501-1-3
巻: Vol.94, No.18 ページ: 182105-1-3
Phys. Rev. Lett
巻: Vol.102, No.13 ページ: 137204-1-4
巻: Vol.105, No.7 ページ: 07B102-1-3