| 研究概要 |
水素アニール処理における, 処理条件依存性を定量的に評価した。また空間周波数解析により, 短周期の凹凸成分ほど平坦化されることを明らかにした。
Silicon on Insulator (SOI)基板から製作した, 櫛歯静電アクチュエータとSi細線導波路を水素アニール処理した。アニール温度を900度程度に下げることで, 微細構造の形状を維持したまま, 側壁の凹凸を除去することができた。
リング共振器を櫛歯静電アクチュエータで可動させる微小共振器を製作し、水素アニール処理による側壁荒れの低減を達成した。
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