研究課題
若手研究(A)
ガリウムひ素部分埋め込みによる異方性の抑制とインジウムフラッシュ法による量子ディスク形状化による形状制御を用いて微細構造分裂(FSS)の低減を行った。低温・低速条件によって異方性を抑制、更にインジウムフラッシュ条件を最適化して作製した量子ディスク構造により、大幅なFSS低減が可能となった。典型値として、100μeV程度のFSSを持つ量子ドットに対して最適な部分埋め込み・インジウムフラッシュを実施することにより、30μeV程度以下までの低減が見られた。更に量子リング構造とすることで、5μeV程度までFSSを抑えられる可能性が示された。
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