研究概要 |
磁性半導体や透明半導体や太陽電池を目指して、半導体中の遷移金属不純物の電子状態及びその電子状態によって起きる伝導性や磁性などの物性の理論研究を行っている。 1. AlN及びZnTe中の遷移金属不純物の3d電子状態の理論研究 2. 半導体中の不純物クラスター及びナノ構造の理論研究 3. 有機分子中の遷移金属原子の分子軌道の理論研究 4. LDA算密度汎関数の修正理論の研究 5. 配位子場及び磁性の理論研究 6. 太陽電池に向けて表面・界面の理論研究 7. ナノ構造界面のショットキー接合の理論研究 8. シリコン表面におけるCO分子のSTM実験の理論研究 本研究に関しては下記のような研究交流を行った。H. Raebigerが客員教授としてDonostia International Physics Centreに滞在 (San Sebastian, スペイン、6月3日~7月3日)。Prof A. Ayuela (Donostia International Physics Centre スペイン) はレービガー研究室滞在 (5月13日~15日)。Prof A Foster, Dr T. Hynninen, Mr Filippo Federici (Tampere University of Technology フィンランド) はレービガー研究室滞在 (11月25日~26日)。
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今後の研究の推進方策 |
半導体中の遷移金属不純物及び不純物クラスタの理論計算を行います。ホスト半導体材料はGaN,AlN,Ga As,ZnTeで、不純物は磁性をもつCr,Mn,Fe,Gdなどを研究する。まず最初、第一原理計算のより、下記のような研究を行う予定です。(1)AlN,GaN,G aAs中の遷移金属不純物の磁気相互作用の理論的説明。(2)GaN,AlN中のポラロン理論。(3)GaAsにおけるMn,FeのSTM実験の予想。(4)AlN ,ZnTe中の1次元的ナノ構造「準1次元鎖」の形及び伝導性及び磁性の理論。(5)GaN/GdNの2次元的界面構造、磁性、ショットキー電 位差を求める。 具体的な新機能材料の理論開発を行う。
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