研究課題
本研究課題では、革新的なハイブリッドタンデム型LEDの実現をめざし研究を展開した。本年度は、最終年度ということでデバイスの作製に向け検討を進めた。また、研究の進展によって、結晶成長中にどのようなことが起きているのかの現象を確認する必要が出てきたため、X線を用いたその場観察技術を開発し、それによって窒化物半導体の結晶成長機構を解析した。1. トンネル接合の検討…トンネル接合を用いた窒化物半導体デバイスの開拓を進めた。特にMg濃度の最適化やアニール手法の最適化などを進め、ある程度の低抵抗化を実現した。2. 貼り合わせ技術の検討…貼り合わせ技術の検討としてはITO透明電極の検討を精力的に進めた。また、有機接着剤等では満足な特性が得られない可能性が高くなったため、イオンやプラズマを用いた貼り合わせ技術の技術的な可能性を検討した。3. X線によるその場観察技術を確立し、低温バッファ層を介して成長したGaNの成長機構などを明らかにした。また、GaN上にGaInNを成長した時の成長機構を解析し、GaInNの格子緩和過程を明らかにした。4. 緑色領域の発光層に関して様々な検討を進め、c面GaN上に高い内部量子効率を持つ活性層の開拓を進めた。5. 窒化物半導体太陽電池…本研究の技術をさらに発展させるため、窒化物半導体太陽電池への適用を行ったところ、世界トップレベルの性能を実現した。また、非極性面窒化物半導体太陽電池を試作し、世界で初めての動作を確認した。さらに、集光特性を評価し、窒化物半導体の高い可能性を実証した。
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