スパッタリング法ならびにPLD法により製膜したCu_2O薄膜表面とCu_2O/Al_2O_x界面の電子状態をX線光電子分光法により明らかにした。Cu_2O/Al_2O_x界面に存在するCuの価数はAl_2O_xを製膜した瞬間に1価から2価に酸化されることが明らかとなった。Al_2O_x上にCu_2Oを製膜した場合においてもCuは製膜初期において2価で成長しており、界面のCuは2価であった。界面のCuの価数制御にはアニールが有効であることを明らかにしたが、膜厚が厚くなると充分に還元できないことも明らかとなった。
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