2010 年度研究成果報告書

nano-SQUIDを用いた3次元磁気センサーの開発

研究課題

研究課題/領域番号	21710143
研究種目	若手研究(B)
配分区分	補助金
研究分野	マイクロ・ナノデバイス
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	松本哲朗独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 産総研特別研究員 (50450672)
研究期間 (年度)	2009 – 2010
キーワード	ナノSQUID / 弱結合 / ジョセフソン接合 / 磁気センサー
研究概要	3次元磁気センサーに用いることを目的として、極低温(～1K)、および、1T程度の強磁場下において使用可能なnano-SQUIDの作製プロセスを開発した。本プロセスでは、nano-SQUIDの臨界電流値を制御性良く作製することを可能とした。また、これらのnano-SQUIDはヒステリシスのないI-V特性を示した。本研究で開発したnano-SQUIDの作製プロセスは、高い素子設計の自由度を有するので、温度や印加磁場などの外部環境や、測定方法に応じて、それぞれの用途に最適化したnano-SQUID の作製に役立つと考えられる。