シリコンナノ構造における多体電子ダイナミクス制御

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21740226
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 物性Ⅰ
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 太野垣 健 京都大学, 化学研究所, 准教授 (80422327)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2010
• キーワード: 光物性 / 半導体物性 / ナノ材料

研究概要

オージェ再結合は、半導体ナノ構造における高密度光励起状態で顕著に現れ、レーザーや太陽電池などの光電子デバイス設計に重要な役割を果たすと考えられる。本研究では、様々な構造のシリコンナノ物質や電場印加を行ったナノ構造半導体において、高密度光励起状態における発光ダイナミクスの測定を行った。オージェ再結合効率がナノ構造体の形状に強く依存すること、ポテンシャル形状制御によってオージェ再結合を制御できることがわかった。

研究成果

• [雑誌論文] Auger recombination in Si1-xGex/Si quantum wells under high-density photoexcitation (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Tayagaki, S.Fukatsu, Y.Kanemitsu
  • 雑誌名: physica status solidi.C 8 ページ: 1049-1054
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of Auger recombination rate in Si1-xGex/Si heterostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Tayagaki, S.Fukatsu, Y.Kanemitsu
  • 雑誌名: J.Phys.Soc.Jpn. 79 ページ: 013701/1-013701/4
  • 査読あり
• [学会発表] Well-width dependence of Auger recombination rate in Si1-xGex/Si single quantum wells under high-density photoexcitation (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Tayagaki, S.Fukatsu, Y.Kanemitsu
  • 学会等名: European Materials Research Society Spring Meeting (2010)
  • 発表場所: Strasbourg, France.
  • 年月日: 2010-06-09
• [学会発表] SiGe/Si量子井戸における高密度キャリア発光の電場効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 太野垣健, 深津晋, 金光義彦
  • 学会等名: 日本物理学会秋季大会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2009-09-25
• [学会発表] SiGe/Si量子井戸における高密度キャリア発光の電場依存性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 太野垣健, 深津晋, 金光義彦
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-10
• [備考] ホームページ
  • URL: http://www.scl.kyoto-u.ac.jp/~opt-nano/