研究課題
若手研究(B)
本研究は強磁性体と超伝導体の接合界面において奇周波数クーパー対の生成を検証することを目標に開始し,以下の成果を得た。1.第一原理バンド計算からハーフメタルであると期待されるホイスラー合金Co_<2-x> Fe_xMnSiとRu_<2-x> Fe_xCrSiを合成し,それらがハーフメタルの候補であることを明らかにした。2.ホイスラー合金Co_<2-x> Fe_xMnSiのスピン分極率が組成xに依存せず,約50%であることを明らかにした。3.ホイスラー合金Ru_<2-x> Fe_xCrSiを合成のスピン分極率がx=1. 8のときに最大の63%であることを明らかにした。4.奇周波数を閉じ込める目的で, MgO基板上にフルエピタキシャルNbN/Co_2MnSiとNbN/Co_2FeSi多層膜とそのナノ接合を作製することに成功した。5. NbN/Co_2MnSiナノ接合の微分コンダクタンス測定において大きなゼロバイアスピークを観測した。この現象は拡張Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理論では説明ができず,接合界面での奇周波数クーパー対の生成の可能性を示唆する。
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http://www.sci.kagoshima-u.ac.jp/~shigeta/