レーザーアニールによる選択的局所GOI構造作製技術の開発

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21760009
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 細井 卓治 大阪大学, 工学研究科, 助教 (90452466)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2010
• キーワード: ゲルマニウム / GOI基板 / SGOI基板 / 液相エピタキシャル成長

研究概要

次世代半導体基板として期待されるGOI(Germanium-On-Insulator)もしくはSGOI(SiliconGermanium-On-Insulator)構造をSi 基板上に局所選択的に作製する手法として、アモルファスGe層を融解・凝固させる液相エピタキシャル成長を提案し、単結晶Geワイヤと結晶性に優れた完全歪緩和SGOI層をそれぞれ絶縁層上に形成することに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth (2010)
  • 著者名/発表者名: Takayoshi Shimura, Shimpei Ogiwara, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express Vol.3 ページ: 105501-1-105501-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth (2009)
  • 著者名/発表者名: Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express Vol.2 ページ: 066502-1-066502-3
  • 査読あり
• [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治, 志村考功, 渡部平司
  • 学会等名: ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第16回研究会
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2011-01-22
• [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 荻原伸平、吉本千秋、細井卓治、志村考功、渡部平司
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治、志村考功、渡部平司
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi
  • 学会等名: 2009 Material Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA.
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: Chiaki Yoshimoto, Tatsuya Hashimoto, Takuji Hosoi
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka University, JAPAN.
  • 年月日: 2009-09-01