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局所ひずみ評価用試料の面積は5×5μm^2以下と小さい。これに対応できるフォトルミネッセンス(PL)測定系を構築した。自立Si薄膜構造(Si-On-Nothing構造)形成後にSiN膜を成膜した試料を試作し、Si薄膜に印加されるひずみをPLシステムを用いて評価した。その結果、200nm-SiN/200nm-Si膜では約1%の圧縮ひずみが導入できること、<100>方向ひずみが<110>方向より大きいことを示した。また、深さ方向に対して「均一ひずみ」あるいは「不均一ひずみ」であるかの評価手法として、PL信号強度とSi膜厚依存性から判断する方法を提案した。
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