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2010 年度 実績報告書

低次元シリコンナノ構造を複合機能化した新規高効率太陽電池材料の創製

研究課題

研究課題/領域番号 21760015
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

深田 直樹  独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90302207)

キーワード太陽電池 / 量子細線 / 量子ドット / ナノ材料
研究概要

本研究では、次世代の太陽電池材料として有望なSiナノ結晶(0次元,直径:1-50nm,バンドギャップ:3.0-1.1eV)およびSiナノワイヤ(1次元,直径:5-50nm,バンドギャップ:1.5-1.1eV)の両材料を機能的に複合化し、Si材料の削減による低コスト化および変換効率の向上を両立した、これまでに無い新しい次世代シリコン太陽電池材料の開発を行った。
不純物ドープシリコンナノ粒子を用いた太陽電池のI-V特性に関して、疑似太陽光源(AM1.5G、100mW/cm^2)を有するソーラーシミュレータを用いて評価した。サイズ可変前のシリコンナノ粒子を用いた太陽電池は、0.8Vの低い解放電圧(V_<oc>)と0.015mA/cm^2の低い短絡電流密度(J_<sc>)を示した。しかしながら、サイズ可変したリンドープシリコンナノ粒子を用いた太陽電池では、疑似太陽光に対する吸収帯幅の改善(特に、可視域帯での効果的な吸収)による吸収効率の向上により、解放電圧(1.725V)と短絡電流密度(0.5mA/cm^2)を大きく増加させることができた。
キャリアの輸送機構を向上させるために、PドープSiナノ粒子から成る太陽電池に対して、キャリアの導電性パスとして優れている不純物ドープしたSiナノワイヤを導入した。複合材料を用いた太陽電池は、ナノワイヤを導入する前の太陽電池に比べて解放電圧(0.2V)や短絡電流密度(0.225mA/cm^2)が低く、変換効率の向上には至らなかった。その原因として、ナノ粒子とナノワイヤの密着性および密度の最適化が不十分であることやナノ粒子/ナノワイヤ界面での欠陥の残存が影響していると考えられる。よって、複合材料を用いた太陽電池における変換効率の向上には、活性層の構造改質がより重要であることがわかった。

  • 研究成果

    (12件)

すべて 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (9件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Doping and characterization of impurity atoms in germanium nanowires2010

    • 著者名/発表者名
      N.Fukata, K.Sato, M.Mitome, Y.Bando, T.Sekiguchi, M.Kirkham, J-I.Hong, Z.L.Wang, R.L.Snyder
    • 雑誌名

      ACS NANO

      巻: 4 ページ: 3807-3816

    • 査読あり
  • [学会発表] ホットインプランテーションによるSiナノワイヤへのPドーピング2011

    • 著者名/発表者名
      石田慎哉、滝口亮、横野茂輝、深田直樹、陳君、関口隆史、菱田俊一、村上浩一
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-24
  • [学会発表] 薄膜太陽電池用ボロンドープシリコンナノ粒子の構造評価2011

    • 著者名/発表者名
      瀧上泰則, 佐藤慶介, 平栗健二, 深田直樹
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-24
  • [学会発表] Doping and characterization of impurity atoms in Si nanowires2010

    • 著者名/発表者名
      N.Fukata, K.Sato, M.Mitome, Y.Bando, T.Sekiguchi
    • 発表場所
      Rome (Italy)
    • 年月日
      2010-12-05
  • [学会発表] Doping and characterization of impurity atoms in germanium nanowires2010

    • 著者名/発表者名
      N.Fukata, N.Saito, S.Ishida, S.Yokono, K.Sato, J.Chen, T.Sekiguchi, K.Murakami
    • 学会等名
      2010 MRS FALL Meeting
    • 発表場所
      Boston (USA)
    • 年月日
      2010-12-02
  • [学会発表] Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価2010

    • 著者名/発表者名
      滝口亮、石田慎哉、横野茂輝、深田直樹、陳君、関口隆史、村上浩一
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
  • [学会発表] SiナノワイヤへのO_2^+イオン注入効果2010

    • 著者名/発表者名
      横野茂輝、石田慎哉、滝口亮、深田直樹、陳君、関口隆史、菱田俊一、村上浩一
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
  • [学会発表] シリコンナノワイヤ中への水素導入効果2010

    • 著者名/発表者名
      石田慎哉、横野茂輝、滝口亮、深田直樹、陳君、関口隆史、菱田俊一、村上浩一
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
  • [学会発表] ノンドープ並びにPドープSiナノ結晶の光誘起ESR2010

    • 著者名/発表者名
      長橋綾子、内田紀行、深田直樹、村上浩一
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
  • [学会発表] 縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの研究2010

    • 著者名/発表者名
      深田直樹
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
  • [備考]

    • URL

      http://www.nims.go.jp/mana/people/independent_scientist/n_fukata/index.html

  • [産業財産権] シリコンナノ粒子/シリコンナノワイヤ複合材料、太陽電池、発光デバイス、及び製造法2010

    • 発明者名
      深田直樹、佐藤慶介
    • 権利者名
      独立行政法人物質・材料研究機構
    • 産業財産権番号
      特許、特願2010-113778
    • 出願年月日
      2010-05-18

URL: 

公開日: 2012-07-19  

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