偏光制御による紫外線発光素子応用に向けた非極性面AlInN混晶の基礎研究

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21760227
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京工業高等専門学校 (2010); 東北大学 (2009)
• 研究代表者: 尾沼 猛儀 東京工業高等専門学校, 一般教育科, 講師 (10375420)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2010
• キーワード: 窒化物半導体 / AlInN / 結晶成長 / 光物性 / 非極性面 / 表面再結合

研究概要

偏光が制御された高効率紫外線発光素子材料として「非極性面AlInN 混晶」を提案し、有機金属化学気相エピタキシー成長とその物性評価を行った。成長面内に非等方的な歪みを受けたm面薄膜からの発光の偏光特性を理解するため、価電子帯のオーダリング、バンド間遷移の振動子強度を理論計算により解析した。また、発光効率改善の観点からGaN 表面における再結合過程について調査し、分極電場により表面のバンド状態は変化し表面再結合過程に影響を与えることが分かった。

研究成果

• [雑誌論文] Surface recombination of hexagonal GaN crystals (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Onuma, N.Sakai, T.Okuhata, A.A.Yamaguchi, T. Honda,
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (c) vol.8 ページ: 1-13
• [学会発表] 極性・非極性(Al, In, Ga)N混晶薄膜における振動子強度の歪依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 秩父重英
  • 学会等名: 2011年春季応用物理学会(26p-BY-9)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Surface recombination mechanism in hexagonal GaN crystals (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Sakai, T.Onuma, T.Okuhata, A.A.Yamaguchi T.Honda
  • 学会等名: The 9th International Symposium on Advanced Technology (ISAT9)(No.P-28.)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20101104-20101106
• [学会発表] Surface recombination of hexagonal GaN crystals (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Sakai, T.Okuhata, T.Onuma, A.A.Yamaguchi, T.Honda
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), Tampa(No.GP1.20.)
  • 発表場所: Florida, USA
  • 年月日: 20100919-20100924
• [学会発表] 自立GaN 基板へのm 面Al_1-xIn_xN 薄膜のMOVPE成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀
  • 学会等名: 2010年春季応用物理学会(17p-TB-4)
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-17