研究課題
若手研究(B)
本研究では、高利得・低消費電力なZnO薄膜トランジスタの実現に向け、分子線エピタキシー法とプラズマプロセスを活用した新たな極薄・高性能ゲートを有するトランジスタ構造の開発を行った。MBE成長実験と詳細な構造解析により、各種基板におけるZnO薄膜の成長機構を明らかにした。また、原子状酸素を利用したAl薄膜の表面酸化処理による極薄膜Al_2O_3絶縁層の形成手法を確立した。
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Japanese Journal of Applied Physics
巻: Vol.50 ページ: 05FB13(4)
MBE physica status solidi(c)
巻: Vol.7, No.6 ページ: 1556-1558