2010 年度研究成果報告書

ダイヤモンド・超ナノ微結晶ダイヤモンド薄膜への高濃度ボロン添加と超伝導特性

研究課題

研究課題/領域番号	21760239
研究種目	若手研究(B)
配分区分	補助金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	有明工業高等専門学校
研究代表者	原武嗣有明工業高等専門学校, 電子情報工学科, 准教授 (20413867)
研究期間 (年度)	2009 – 2010
キーワード	超伝導 / 超ナノ微結晶ダイヤモンド / ダイヤモンド / レーザーアブレーション / 同軸型アークプラズマ蒸着法
研究概要	本研究の目的は,高濃度ボロン(B)をドープした超ナノ微結晶ダイヤモンド(UNCD)薄膜の超伝導特性を明らかにすることである.初年度では,Bのドープ量を変化させて膜作製を行い,UNCD薄膜の電気伝導度を制御できることを確認した.次年度では超伝導特性を評価するために,低温領域(～3.6K)にて電気伝導度測定を試みた.約110K以下では,オーミック電極が剥離し,電気伝導度が測定できなかった.低温域にてUNCD薄膜と密着性の良い電極材料を探索する必要がある.本手法にて高濃度BドープUNCD薄膜自体は形成できていることから,本研究の発展が大いに期待できる.今後,本研究を継続していく予定である.